晶圆知识（晶圆概念）

晶圆刀片切割工艺详解

刀片切割工艺基础 晶圆的切割主要采用机械刀片方式，尤其是对于厚度超过100微米的晶圆。在这一过程中，高速旋转的刀片在预设的切割路径上滑动，同时配合冷却水的使用，以避免热损伤并清除切割产生的碎屑，确保切割的精确性和效率。工艺流程详解 在切割前，晶圆的背面会贴上UV膜或蓝膜。

工艺流程详解 切割前，晶圆背面会贴上UV膜或蓝膜。UV膜凭借紫外线照射调整粘性，方便后续芯片剥离；蓝膜成本低，但剥离需额外步骤。切割时，晶圆放入划片机，通过预设程序完成切割，划片结束后还需解UV处理，每个步骤都要求精确无误。

材料概况：/测试对象是一块8英寸的mos晶圆，厚度200μm，覆有UV膜，为切割任务提供了坚实的基础。工艺参数揭秘：/选用DAD322型号切割设备，主轴转速26K rpm，进刀速度30mm/s，刀片选择高度CH1：0.055，可见工艺控制之精细。

激光和金刚石磨轮刀片是切割低介电常数（Low-K）材质晶圆的常用工具。 普通金刚石刀轮在切割Low-K材料时可能会引起材料飞溅和表面缺陷，如崩缺、裂纹、钝化和金属层损坏。 为避免这些问题，首先使用激光技术去除晶圆表面的Low-K层。 之后，再使用刀轮对剩余的硅衬底材料进行切割。

在晶圆切割过程中，刀片磨刀是一个关键步骤。 磨刀时，需要在专用的工作台上放置磨刀板。 刀片放置在磨刀板上进行磨削，直至刀片边缘锋利。 磨刀作业完成后，将磨刀板移开。 接着，将待切割的晶圆放置在工作台的传送带上。 最后，使用切割机对晶圆进行精准切割。

用激光和金刚石磨轮刀片。Low-K材料难以用普通的金刚石刀轮进行切割，原因是金刚石刀轮直接作用会导致Low-K材料的飞溅和外观不良，如崩缺、裂纹、钝化、金属层掀起等现象。因此需先用激光去除硅晶圆表面的Low-K层，之后用刀轮切割硅等衬底材料。

IC方面的知识

IC（集成电路）是电子元器件中的一种半导体器件。微电子技术：一个国家的核心技术是指微电子技术，而微电子技术是指能够处理更加微小的电磁信号的技术，所谓微电是区别于强电（例如照明用电）和弱电（例如电话线路）而言。微电子技术的代表就是IC 技术，主要产品就是IC。

IC专业就是集成电路设计专业。集成电路设计，是电子工程学和计算机工程学的一个学科，其主要内容是运用专业的逻辑和电路设计技术设计集成电路（IC）。IC设计涉及硬件软件两方面专业知识。集成电路设计涉及对电子器件（例如晶体管、电阻器、电容器等）、器件间互连线模型的创建。

踏入IC世界，首先了解基础架构： 集成电路，如同电子领域的瑞士军刀，其构建过程分为三个关键部分：被动元件、主动元件与封装技术。让我们一步步揭开它的面纱：设计篇： 起步于设计阶段，利用先进的EDA工具和IP核，芯片的蓝图开始绘制。这里决定了它的功能特性，如规格、逻辑设计与性能指标。

IC设计是一门结合硬件和软件的专业知识领域。在硬件部分，它涵盖了数字逻辑电路的理论和实际运用，如基本的逻辑门电路和数字信号处理技术，还有模拟电路和高频电路的设计技巧。对于模拟信号的处理，理解其工作原理和信号转换过程是必不可少的。

半导体晶圆(Wafer)知识的详解;

1、晶圆，这个看似寻常却极其关键的元件，实际上是半导体集成电路制造的灵魂。因其圆形的外观，我们用英文“Wafer”来命名它。在芯片的制造过程中，晶圆就像是建筑的地基，为电子元件的精密构造提供了基础平台。没有稳定的基础，芯片的性能和稳定性就无法保证。

2、Wafer，即晶元，是集成电路生产过程中不可或缺的载体，通常指的是单晶硅圆片。它的制作过程始于普通硅砂的提炼，经过溶解、提纯和蒸馏等一系列精细步骤，制成单晶硅棒。随后，经过抛光和切片，一块晶元就此诞生。

3、wafer 即为图片所示的晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片就是基于这个wafer上生产出来的。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。

4、半导体制造中的关键术语“wafer”、“chip”和“die”在电子行业中扮演着重要角色，它们各有不同的含义和用途。首先，wafer，即晶圆，是由纯硅制成的圆形硅片，常见尺寸有6英寸、8英寸和12英寸，是集成电路的基础。晶圆经过加工，形成各种电路元件，最终成为集成电路上的电子元件。

5、晶圆是指由单晶硅材料制成的薄片，其外观类似于一个圆盘。它是半导体芯片制造的基础材料之一。晶圆通常具有直径从几英寸（如8英寸或12英寸）到几英尺不等，具体尺寸取决于芯片制造工艺的需求。

5纳米12寸晶圆的边角料缺损片能作芯片用

寸晶圆大约能做成500个5nm芯片。12英寸晶圆的表面积大约为70659平方毫米，拿华为麒麟990 5G来举例的话，芯片的面积为68×61＝1131平方毫米。7nm、5nm甚至4nm芯片的面积差别不会太大。

作晶方的工艺难度远大于晶圆，并且合格率也较低，这是做晶圆不做晶方的主要原因。

英寸晶圆的表面积大约为70659平方毫米。芯片面积为1131平方毫米，如果100%利用的话，可以生产出700块芯片。但是这是不可能的，原因是因为芯片是方形的，晶圆是圆形的，一定会有边角料留下，所以就不能简单的用晶圆的面积除以晶片的面积。实际上的晶圆直径是分为150mm，300mm以及450mm这三种。

节约材料就是节约成本啊。就拿华为的麒麟芯片来举例的话，使用12英寸晶圆来生产麒麟990的芯片，大约可以生产400颗芯片。但是如果使用8英寸生产的话那就会剩余许多边角料。从而造成极大浪费。因此晶圆是很贵的材料，不容许有一丝一毫的浪费出现，这也就是为什么越先进的芯片使用的晶圆越大的原因。

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